IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪
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ITC57300 IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪

型号
ITC57300
参数
测量范围:igbt mos bjt 测量精度:Vcesat Vgeth lces lges 外形尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途:检修地铁 汽车 重量:30kg
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   深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及SMT*检测仪,MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,在线式检修用IGBT测试仪,变频器检修用IGBT测试仪,IGBT模块测试仪,轨道交通检修用IGBT测试仪,风力发电检修用IGBT测试仪,产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势,将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等;
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详细信息

IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪● 有不少用户来电询问有没有一种可以直接测量功率场效应管、IGBT管、可控硅等器件判断“电流"大小的仪器?     其实器件通过电流的大小的能力是:         
⑴、和器件芯片的面积成正比。即:芯片面积越大可以通过的电流就大,反之则小。         
⑵、和器件导通时的压降成反比。即:通态压降越小的管子就可以承受更大的通态电流。         
⑶、和器件的散热面积成正比。即:封装越大可承受的功耗和电流相对就大,反之则小。   
● 
IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪这三个因素直接关系到器件输出电流能力的大小;由于芯片是封在器件里面的无法检测,设计产品时器件的型号和封装及散热条件也已确定,所以我们只能通过测量器件在大电流时的通态压降来检验器件的质量好坏,为此我们也必须要学会看器件的基本参数,在众多参数中我们更要知道和输出电流、输出功率有关的参数。         
⑴、功率场效应管的内阻:Rds。如:(IRF3205在62A的条件下测试 Rds ≤0.008Ω)。         
⑵、IGBT管的饱和压降:Vce(sa

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产品参数

测量范围 igbt mos bjt
测量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(宽)x 450(深)x 250(高)cm;mm
用途 检修地铁 汽车
重量 30kg
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