华科智源igbt模块筛选分析
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ITC57300 华科智源igbt模块筛选分析

型号
ITC57300
参数
测量范围:igbt mos bjt 测量精度:Vcesat Vgeth lces lges 外形尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途:检修地铁 汽车 重量:30kg
深圳市华科智源科技有限公司

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首件检测仪,首件检测系统,SMT智能首件检测仪,首样检测,首板确认

 

   深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及SMT*检测仪,MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,在线式检修用IGBT测试仪,变频器检修用IGBT测试仪,IGBT模块测试仪,轨道交通检修用IGBT测试仪,风力发电检修用IGBT测试仪,产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势,将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等;
    华夏神州,科技兴国,智能创新,源远流长;华科智源公司 核心团队由华中科技大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建,致力于中国功率半导体事业,积极响应国家提出的中国制造2025战略,投身于半导体测试设备。
    深圳华科智源科技有限公司-,功率器件测试方案供应商,2025中国制造 • 芯片设计及封装 • 新能源及轨道交通 • 来料选型。

详细信息

华科智源igbt模块筛选分析系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。

系统标准功率源为3500V/200A,电流可扩展至2000A。

系统的自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作,实现全自动化的智能测试,计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活,可完美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试。

系统采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点

系统安全稳定,PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁。

 

华科智源igbt模块筛选分析主要由计算机控制系统和PLC控制系统组成

计算机控制系统

计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机

采用研华工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。

计算机中,装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个

模拟量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。

PLC控制系统

控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系

统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。

系统特征

针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统

大功率(IV可扩展至4500A,6000V

自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)

计算机记录测试结果,测试结果可转化文本或EXECL格式存储

采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点

测试方法灵活(可完美测试器件以及单个和多单元的模块测试)

安全稳定(PLC对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁)

测试范围

EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数:其测试范围如下:

1)栅极-发射极漏电流测试                     VGES、IGES

2)栅极-发射极阈值电压测试                   Vge(th)

3)集电极-发射极电压测试测试                 VCES、ICES

4)集电极-发射极饱和电压测试测试             Vge(sat)、IC

5)二极管压降测试测试                        VF、IF

6)二极管反向可恢复直流电压测试          VR、IR

外形尺寸和电源要求

尺 寸:800×800×1800(mm)

质 量:210kg

环境温度:15~40℃

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系统功耗: 380W

参数/条件

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参数/条件

           

参  数

   

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

     

静态参数自动测试系统

静态参数手动测试系统

 

条  件

   

①栅极-发射极漏电流IGES

         

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

         

集电极电压VCE: 0V

         

栅 极 电 压 VGE: 20V ±3%±0.2V

         

②集电极-发射极电压BVCES

         

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)

         

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

栅 极 电 压 VGE: 0V

         

③集电极发射极饱和电压VCESAT

         

VCESAT:0.1-10V

         

栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V

         

集电极电流ICE:10-200A±5%(选配)

   

10-200A±5%

10-200A±5%

④集电极-发射极截止电流ICES

         

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

   

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)

         

栅 极 电 压V G E : 0V

         

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

         

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

         

VGE=VCE

         

集电极电流ICE: 30mA±3%

         

⑥二极管压降测试VF

         

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

         

栅极电压VGE: 0V

         

流  I F :10-200A±5%(选配)

   

10-200A±5%

10-200A±5%

导通电流  IC:10-200A±5%

         

栅极电压VGE:±15V±0.2V

         

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测量范围 igbt mos bjt
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