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HUSTEC-1600A-MT 测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源
- 型号
- HUSTEC-1600A-MT
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深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT*检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪，产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等；
华夏神州，科技兴国，智能创新，源远流长；华科智源公司 核心团队由华中科技大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建，致力于中国功率半导体事业，积极响应国家提出的中国制造2025战略，投身于半导体测试设备。
深圳华科智源科技有限公司-，功率器件测试方案供应商，2025中国制造 • 芯片设计及封装 • 新能源及轨道交通 • 来料选型。
详细信息
测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源
测试种类及参数
- 、Diode（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；
- 、MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，VGS(th)/栅极开启电压，IDSS漏源极漏电流、VF/二极管正向压降；Rdson 内阻
- 、IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅极漏电流
六、 测试IGBT曲线图示追踪仪华科智源参数指标
1、设备概述 | |||
1.1 | 设备数量 | 1套 | |
1.2 | 设备功能 | 测试功率半导体器件静态参数 | |
1.3 | 设备组成 | 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 | |
1.4 | 硬件模块 | 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 | |
1.5 | 软件模块 | 设备软件部分应包括： 1.操作系统、备份、保存、编辑、上传等基本功能； 2.图形化操作界面； 3.输出EXCEL、word版测试报告 4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度 5.I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格； 6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比； | |
2、设备尺寸 | |||
2.1 | 设备总体长度 | ≤ 500mm | |
2.2 | 设备总体宽度 | ≤450mm | |
2.3 | 设备总体高度 | ≤300mm | |
3、技术指标 | |||
★ | 3.1 | 机台可测试器件类型 | 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 |
★ | 3.2 | 机台可测IGBT项目 及测试范围 | VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,2000A以下的IGBT模块 |
★ | 3.3 | 机台可测MOS项目 | Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on) |
★ | 3.4
| VGE(th)栅极阈值电压测量范围 | 0.1～10V分辨率：0.001V |
3.5 | VGE(th) 测试条件与精度 | VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； | |
★ | 3.6 | VCES集射极截止电压测量范围 | 0~5000V 分辨率0.1V |
3.7 | VCES 测试条件与精度 | 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1%±2V； | |
★ | 3.8 | ICES集射极截止电流测量范围 | 0.01～50mA 分辨率 0.001uA |
3.9 | ICES 测试条件与精度 | 集电极电压VCES： 50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； | |
★
| 3.10 | VCE(sat)饱和导通压降测量范围 | 0.001～10V 分辨率 1mV |
3.11 | VCE(sat) 测试条件与精度
| 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A； | |
★ | 3.12 | Iges栅极漏电流 测量范围 | 0.01～10μA 分辨率 0.1nA |
3.13 | Iges 测试条件与精度 | 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～100V±1%±0.1V； Vce=0V； | |
★ | 3.14 | VF正向特性测试 测量范围 | 0.1～10V 分辨率 0.001V |
3.15 | VF正向特性测试 测试条件与精度 | 二极管导通电压Vf： 0.1～10V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A； | |
