用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

Thermo Scientific用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-04-02 14:17:15
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赛默飞世尔科技（中国）有限公司集团

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产品简介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统提供的功能，除广泛的其他大面积 FIB 处理应用外，还能够实现 10 nm 半导体器件的无损伤延迟和 3D 封装的高级故障分析。

详细介绍

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统使您能够：
  • 使用具有高电流 UC+ 单色器技术的 Elstar™ SEM 电子镜筒，可获得纳米级 SEM 图像分辨率和表面灵敏度，从而显示较为细致的细节信息。
  • 使用新一代 2.5微安 氙等离子体 FIB (PFIB 2.0) 镜筒，可进行较高通量和质量相关 3D 表征、横向切片和微加工。
  • 使用自动摇摆研磨机，可实现高产率、无屏障大面积横向切片制备并获得高质量 TEM 片晶。
  • 实现的低 kV 离子束性能，可提高材料灵敏度和降低样品制备损伤。
  • 通过可选配的 MultiChem 或 GIS 气体输送系统，可提供在 FIB-SEM 系统上进行电子和离子束诱导的沉积及蚀刻的较高级功能。
  • 在常规和低 k 电介质中，采用专有的 Dx 和 DE 化学物质对铜金属化进行逆向处理。并通过基于等离子 FIB 的化学过程和配方铣削*的包装材料。
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