用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

Thermo Scientific用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-04-02 14:17:15
297
产品属性
关闭
赛默飞世尔科技（中国）有限公司集团

赛默飞世尔科技（中国）有限公司集团

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统提供的功能，除广泛的其他大面积 FIB 处理应用外，还能够实现 10 nm 半导体器件的无损伤延迟和 3D 封装的高级故障分析。

详细介绍

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统使您能够：
  • 使用具有高电流 UC+ 单色器技术的 Elstar™ SEM 电子镜筒，可获得纳米级 SEM 图像分辨率和表面灵敏度，从而显示较为细致的细节信息。
  • 使用新一代 2.5微安 氙等离子体 FIB (PFIB 2.0) 镜筒，可进行较高通量和质量相关 3D 表征、横向切片和微加工。
  • 使用自动摇摆研磨机，可实现高产率、无屏障大面积横向切片制备并获得高质量 TEM 片晶。
  • 实现的低 kV 离子束性能，可提高材料灵敏度和降低样品制备损伤。
  • 通过可选配的 MultiChem 或 GIS 气体输送系统，可提供在 FIB-SEM 系统上进行电子和离子束诱导的沉积及蚀刻的较高级功能。
  • 在常规和低 k 电介质中，采用专有的 Dx 和 DE 化学物质对铜金属化进行逆向处理。并通过基于等离子 FIB 的化学过程和配方铣削*的包装材料。
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话：

温馨提示

该企业已关闭在线交流功能

确定