IGBT动态参数开关短路反向恢复测试

半导体器件动态参数测试系统

• 产品概述

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

天光测控IGBT动态参数开关短路反向恢复测试，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。

• 基础规格

规    格：1800×800×800（mm）

质    量：155Kg

环境温度：15～40℃

相对湿度：小于80%

大气压力：86Kpa～ 106Kpa

电网电压：AC220V±10%无严重谐波

电网频率：50Hz±1Hz

• 供货及售后服务

供货期：一个月。

保修期：保修一年，终身维护。

供方收到用户维修请求后在12小时内给予回复，需要到现场排除故障时二个工作日内派技术人员赶到用户现场进行维修。

设备交付后免费培训相关人员直至使用熟练为止。

系统操作界面采用中文或以用户要求为准。

软件*升级，对需方器件测试程序提供*支持 。

公司简介：

西安天光测控技术有限公司 是一家从事 半导体功率器件测试设备 研发、生产、销售的高科技技术企业。

经营产品包括：晶体管图示仪；

半导体分立器件测试筛选系统；

Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs的电参数及可靠性和老化测试；

静态测试（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs 等）；

动态测试（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；

环境老化测试（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge 等）;

热特性测试（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve 等）各类全系列测试设备。

一直以来被广泛应用于半导体器件上游产业（设计、制造、封装、IDM厂商、晶圆、DBC衬板）和下游产业（院所高校、电子厂、轨道机车、新能源汽车、白色家电等元器件的应用端产业链）。

公司团队汇集了来自国内院校及电力电子行业的专家教授，拥有众多的革命性创新技术。产品成熟可靠，久经市场考验，在替代进口产品方面有着突出的优势。公司从产品到服务，从技术咨询到现场支持，可覆盖功率器件的初始研发到规模化生产的整个领域。

展望未来，公司将全力发挥自身技术优势，为客户提供更优质的专家级技术服务以及更多的经典产品。