国产化源测单元
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S200型国产化源测单元

参考价: 订货量:
26001 1

具体成交价以合同协议为准
2021-07-01 13:27:16
204
属性:
测量范围:300mV-300V/100nA-1A;测量精度:0.01;外形尺寸:425*255*106mm;用途:分立半导体器件,传感器,太阳能电池,纳米材料,有机材料;重量:5kg;测试范围:0.3mV-300V/100nA-1A;测试精度:0.1%;Z大输出功率:30W;
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产品属性
测量范围
300mV-300V/100nA-1A
测量精度
0.01
外形尺寸
425*255*106mm
用途
分立半导体器件,传感器,太阳能电池,纳米材料,有机材料
重量
5kg
测试范围
0.3mV-300V/100nA-1A
测试精度
0.1%
Z大输出功率
30W
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

武汉普赛斯国产化源测单元,特别适用于精密电压源和电流源驱动,且同时进行电流与电压测量的测试应用。所有源表皆提供精密的电压和电流源测量能力。每个源表均由一个高稳定的直流源和一个真仪器级的5位半多功能表组成。

详细介绍

武汉普赛斯国产化源测单元,特别适用于精密电压源和电流源驱动,且同时进行电流与电压测量的测试应用。所有源表皆提供精密的电压和电流源测量能力。每个源表均由一个高稳定的直流源和一个真仪器级的5位半多功能表组成。
 
该电源特性包括:低噪声,高精度和回读功能。万用表功能包括高重复性和低噪音。其结果形成了一个紧凑的单通道直流参数测试仪。在操作中,这些仪器可以作为一个电压源,电流源,电压表,电流表和电子负载。
 
其技术参数为:
 
(1)输出功率:30W
 
(2)电压范围:±0.1%~±300V
 
(3)电流范围:±100pA~±1.05A
 
(4)电压精度:0.01%
 
(5)电 压 源 精 度 :±( 0.01 %+ 30m V)
 
(6)电 压 测 量精 度 : ± (0.0 1%+30m V )
 
(7)电 流 源 精 度 :± (0 .01%+2mA )
 
(8)电 流 测 试精 度 :± (0 .01 %+ 2m A) ;
 
(9)电流精度:0.01%
 
(10)接口方式:RS232串口、GPIB、LAN

产化源测单元特点

5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作   

内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV

源及测量的准确度为0.1%,分辨率5位半

四象限工作(源和肼),源及测量范围:高至300V,低至10pA

丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

支持USB存储,一键导出测试报告

支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网

S系列源表应用

•分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;

•能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

•传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等

•有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等

•纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等  
 
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