HMPS-2150S微波等离子体CVD设备
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面议| （1） | 型号 | HMPS-2150S |
| （2） | 电源 | AC380±10% V 三相五线制 50Hz，额定输入＜25KVA |
| （3） | 微波输出功率 | 0.5~6kW 连续可调 |
| （4） | 功率稳定度 | ≤±1%（@满功率） |
| （5） | 纹波 | ≤1% |
| （6） | 微波频率 | 2450MHz±50MHz |
| （7） | 测温方式 | 红外300~1400℃，控制精度±5℃ |
| （8） | 极限真空度 | 6×10-6torr |
| （9） | 腔体内工作压力 | 7torr~250torr |
| （10） | 自动气压控制 | 0.1torr |
| （11） | 等离子放电区域 | Φ≥100mm |
| （12） | 均匀沉积区域 | Φ≥80mm |
| （13） | 工作气氛 | 五路（可用户定制） |
| （14） | 微波泄漏值 | ＜5mW/cm2 |
| （15） | 工作环境 | 温度15~40℃，相对湿度≤60%，无腐蚀性气体 |
| （16） | 冷却水 | ＞46L/Min |
适合光学、电子、工具级金刚石膜或单晶、石墨烯等的沉积，材质表面处理、低温氧化物的生长等。
