NP3400南麟N 30V 5.8A SOT23-3L

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30V N沟道增强型MOSFET描述NP3400B采用*的沟槽技术提供出色的RDS(上)五世低栅极电荷和高超低导通电阻的密度单元设计。这器件适合用作负载开关或用于PWM应用程序。一般特征DS =30V，ID R =5ADS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5VRDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS大功率电流处理中心

深圳市东诚兴电子有限公司 成立于2009年，是一家半导体元器件专业代理商。代理及销售品牌：南麟、微盟、立锜等,产品有电源管理IC(LDO、DC-DC、充电IC、复位/检测IC、驱动IC、音频功放、霍尔开关、马达驱动等)和MOS（低压MOS、中压MOS、大电流MOS）,产品广泛应用于智能安防、智能家居、摄像头模组、网络通信、电动工具等各种消费类产品。