NP4N10MR-G

NP4N10MR-G

NP4N10MR-G

100V N沟道增强型MOSFET描述NP4N10MR采用*的沟槽技术以提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高超低导通电阻的密度单元设计。这器件适合用作负载开关或用于PWM应用程序。一般特征vds = 100v伏，ID =4A RDS(开)(典型值。)= 110mω@ VGS = 10VRDS(开)(典型值。)= 150mω@ VGS = 4.5V高功率和电流处理能力收购无铅产品表面贴装封装应用 PWM应用负荷开关包裹 SOT-23-3L

示意图

LDO，DC-DC，电源IC，MOS管，场效应管，充电IC，无刷电机、PD芯片，电子元器件

深圳市东诚兴电子有限公司 成立于2009年，是一家半导体元器件专业代理商。代理及销售品牌：南麟、微盟、立锜等,产品有电源管理IC(LDO、DC-DC、充电IC、复位/检测IC、驱动IC、音频功放、霍尔开关、马达驱动等)和MOS（低压MOS、中压MOS、大电流MOS）,产品广泛应用于智能安防、智能家居、摄像头模组、网络通信、电动工具等各种消费类产品。