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产品特点
应用领域:适用于大学、研究院所、企业研发礼构通用的等离子体刻蚀的科研与教学或者小批量量产。
等离子刻蚀方式:RIE反应离子刻蚀或者ICP模式离子刻蚀(根据用户需求定制)
样片数量及尺寸:1片φ6英寸、8英寸
刻蚀材料:包括并不限于单晶硅、多晶硅、Si02,Si3N4,Ti,W、聚合物等
刻蚀腔体:高真空系统
刻蚀不均匀性:±3%-+6%
刻蚀速率:0.1-4um/min(视具体材料与工艺)
工作台:可升降,包含水冷
电源配置:上电极射频,下电极偏压,包含自动匹配
气路数量与种类:6路耐氟基腐蚀气路或用户选配
操作模式:PLC+电脑显示屏,全自动+半自动控制