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产品介绍：
PECVD系统由管式炉，真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。系统主要应用于金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，石墨烯等生长。PECVD系统增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等优点。
PECVD系统主要特点：
1.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
2.通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
3.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
4.可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
5.广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
应用范围：
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
设备主要技术参数：
| 产品名称 | 高真空PECVD设备(CE认证) |
| 滑轨管式炉部分 | |
| 产品型号 | KJ-T1200-S5030-H |
| 炉管尺寸 | Φ50mmX1600mm |
| 炉管材质 | 石英管 |
| 加热区 | 300mm |
| 工作温度 | 1100℃ |
| 温度 | 1200℃ |
| 温控方式 | K型热电偶 |
| 控制方式 | 触屏控制，带独立摇臂，可以根据实际使用需求，调节温控屏的角度，使用更方便 |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 温控保护 | 具有超温和断偶保护功能 |
| 升温速率 | 0-20ºC/min ，建议10ºC/min |
| 加热元件 | 含钼电阻丝 |
| 工作电压 | AC 220V 单相 50HZ （电路电压用户可选择定制） |
| 加热功率 | 3KW |
| 炉膛材料 | 氧化铝多晶纤维 |
| 炉体结构 | 炉体带滑轨，可实现快速升温和降温 |
| 法兰接头 | 标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀 |
| 密封系统 | 该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。 |
| 壳体 | 不锈钢壳体 |
| 选配 | 辅助降温风扇 |
| 真空系统部分 | |
| 名称 | 真空系统 |
| 主要参数 | 1.采用进口安捷伦高真空分子泵组，极限真空度可达10-3pa 2.KF25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连； 3.数字式真空显示，其测量范围为5×10-5- 1500mbar，测量精度高高 |
| 气路系统部分 | |
| 名称 | 四路质量流量计 |
| 主要参数 | 四通道精密质量流量计：触屏控制，数字显示，自动控制。流量范围流量范围： 1.MFC 1-MFC4：0-1000sccm可调 2.一个混气罐 3.4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧，可手动控制4种气体； 4.进出气口：3进1出 流量控制：手动旋转式调节 连接方式：双卡套连接 |
| 等离子电源部分 | |
| 名称 | 500W等离子电源 |
| 功率范围 | 0-500W（连续可调） |
| 工作频率 | 13.56MHZ+0.005% |
| 工作模式 | 连续输出 |
| 射频输出阻抗接口 | N-type,female（50Ω） |
| 功率稳定度 | ≤2W |
| 反射功率 | 70W |
| 电源保护设置 | DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护 |
| 供电电压/频率 | 单相交流（187V-253V）50-60HZ |
| 冷却方式 | 风冷 |
| 整机尺寸 | 88X483X550 MM |
| 整机重量 | 13.5KG |
| 认证 | *、CE认证 |
| 售后服务 | 质保一年，终身保修（耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围） |
1、我公司对所供设备提供质保一年保修服务（易损件除外），在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障，均予以免费维修。保修期满后，仍提供终身的、优质的维修服务。
2、在设备使用过程中如遇故障的，我公司将尽快做出处理方案，确保设备正常运行。
3、我公司设提供免费的设备操作培训和简单故障排除维修培训。
4、我公司技术人员可提供(产品安装调试、整机维护、技术讲解及操作指导等)。
5、本公司可提供运输服务，包装方式均按照标准安全包装进行。随机技术资料齐全（用户手册、保修手册、有关资料及配件、随机工具等）。
6、本公司所有产品均有欧盟CE质量认证。
