一、应用领域

　　该设备用于通过磁控溅射法沉积金属薄膜、陶瓷膜、介质膜等，用户可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

　　二、性能参数

　　镀膜室：

　　1. 有效尺寸约Φ500×550，极限真空：5×10^-5Pa;

　　2. 磁控靶： 3″ 4只，直流射频兼容，靶基距、角度可调;配电(气)动挡板;

　　3. 基片尺寸4″，可实现旋转、升降;

　　4. 加热温度600℃，控温精度±1度;

　　5. 样品台公转，转速：2-20rpm可调;

　　6. 偏压、膜厚仪、薄膜规可选;

　　预备室：

　　1. 有效尺寸约Φ300×350;极限真空：5×10^-4Pa;

　　2. 腔体具有自加热烘烤除气功能;

　　3. 对基片离子溅射清洗功能;

　　4. 配置基片库，可一次装卡4片基片;

　　5. 磁力取样杆传递基片;