半导体雪崩耐量测试仪
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BW-UIS-3500半导体雪崩耐量测试仪

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10001 1

具体成交价以合同协议为准
2024-06-21 09:40:27
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陕西博微电通科技有限责任公司

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产品简介

可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。
二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏,以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围,轻者引起元件性能变坏(如伏安特性、通态峰值电压的变化)

详细介绍

BW-UIS-3500

雪崩耐量测试系统



       

技术指标:

>  浪涌电流(IFSM/ITSM)调节范围:0.30~3.60kA

>  分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA

>  电流波形:正弦半波,底宽10ms

>  测试频率:单次

>  反向电压(VRRM)调节范围:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%

>  反向电压测试频率:50Hz;

>  反漏电流(IRRM)测试范围;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA

工作方式:

>  由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值

>  按测试按键后设备自动完成测试

外形尺寸:

>  600×800×1900×1(宽×深×高×并柜数,单位:mm)

系统说明:

>  上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。

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