化学气相沉积(PECVD)

PECVD-601/801/1201化学气相沉积(PECVD)

参考价: ¥10~¥280/台

具体成交价以合同协议为准
2024-04-09 10:08:22
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北京中科复华科技有限公司

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产品简介

是一种在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法

详细介绍

应用方向:科研与教学

产品优势: 高性能薄膜制备

产品配置:

样片数量及尺寸:1片Ф6英寸

沉积材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅锗合金(SiGe)、钨硅合金(WSi2)、W、SiC。

沉积腔体:高真空系统

沉积不均匀性:±3%-±6%

沉积速率:20-600nm/min(视具体材料与工艺)

工作台:可升降,高度可调

加热:常规加热,可选高温加热

电源配置:射频;直流偏压

气路数量与种类:标配4路气路 或 用户选配

光学性能监测:可选配椭偏仪在线监测系统

渐变折射率薄膜制备:可选配快速流量变化与控制系统

操作模式:全自动+半自动控制

类似产品:带预真空室(PECVD-8100)


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