牛津原子层刻蚀机 PlasmaPro 100 ALE

As layers become thinner to enable the next generation semiconductor devices there is a need for ever more precise process control to create and manipulate these layers. The PlasmaPro 100 ALE delivers this through specialised hardware including:

· Precise control of gas dose

· Excellent repeatability of low power RF delivery

· Rapid switching enabled by fast PLC

All these combine to enable etching with accuracy at the atomic scale.概述:

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。

PlasmaPro 100 ALE 的特点:

· 准确的刻蚀深度控制；

· 光滑的刻蚀表面

· 低损伤工艺

· 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

· 高选择比

· 能加工200mm的晶圆

· 高深宽比（HAR）刻蚀工艺

· 非常适于刻蚀纳米级薄层

应用:

· III-V族材料刻蚀工艺

· 固体激光器InP刻蚀

· VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

· 射频器件低损伤GaN刻蚀

· 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

· 类金刚石（DLC）沉积

· 二氧化硅和石英刻蚀

· 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

· 高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

· 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀