详细介绍

单晶圆清洗设备

• 沉积前清洗

• 蚀刻后清洗

• CMP后清洗

• RCA标准清洗

• W Loop后清洗

• Cu Loop后清洗

• 去除BEOL聚合物

• 深层Trench/Via清洗

• 薄膜去除

• TSV后清洗

• EPI前清洗

• ALD前清洗

可配8腔体，12腔体和18腔体，产能可达225片/小时,375片/小时和800片/小时

具有双面清洗的能力，最多可配至5种清洗药液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方药液；集成式药液供给模块

最多可回收2种药液，低COO

可选配常温IPA或者高温IPA增强型干燥技术

可选配氮气雾化DIW二流体清洗或氮气雾化SC1二流体清洗来辅助去除颗兆声波技术进行平坦表面或深孔结构中的湿兆声波技术对图形片来进行高效无损伤清洗

设备尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35米×6.30米×2.85米 (宽×长×高)