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边缘湿法刻蚀设备
盛美上海的边缘湿法刻蚀设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。 参考价面议 -
前道涂胶显影设备
盛美上海的前道涂胶显影设备支持Arf工艺，未来可拓展至i-line、KrF等光刻工艺，可满足半导体集成电路制造商的光刻工艺需求。 参考价面议 -
PECVD设备
盛美上海的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备可应用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉积工艺， 未来可以扩展至单片式PEALD薄膜沉积工艺进行平台化扩展。 参考价面议 -
Post-CMP清洗设备
盛美上海的Post-CMP设备用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗，有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造；8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。 参考价面议 -
湿法去胶设备-石灰石-石膏湿法
盛美的半导体湿法去胶设备专为高效便捷的光刻胶（PR）剥离清洗应用而设计。 参考价面议 -
电镀设备
盛美半导体先进封装电镀设备可应用于多通道先进封装的关键电镀步骤，包括pillar, bump和 RDL。该电镀设备也可运用于fan-out, TSV (Through Silicon Via)和TMV (Through Molding Via)工艺。 参考价面议 -
单晶圆清洗设备
盛美的Ultra C单晶圆清洗系列可广泛应用于先进集成电路制造中多种前段工艺（FEOL）和后段工艺（BEOL）,可跟据不同应用配备不同化学药液与辅助清洗方式，也可应用于晶圆制造、MEMS制造，以及功率器件制造领域。 参考价面议 -
背面清洗设备
盛美的背面清洗设备可用于晶圆背面清洗或者湿法刻蚀工艺， 同时通过伯努利夹盘为晶圆背面提供氮气保护。 该设备可广泛应用于集成电路制造和晶圆级封装领域。 参考价面议 -
SAPS兆声波清洗设备
盛美*技术——空间交变相位移(SAPS™)技术，通过控制兆声波清洗装置与晶圆的间距随兆声波相位的变化，来实现兆声波在晶圆表面的均匀分布，以达到化的清洗效果。 参考价面议