SRS-500型磁控溅射PVD系统，最多可配备五个独立溅射靶位，采用涡轮分子泵组和自动压控系统等配置，适用于沉积各种金属和反应膜层。可实现单靶直溅和多靶共溅功能。适合快速制备多层金属、反应化合膜、半导体介质复合膜等，配备精密沉积速率控制系统，非常适合新材料研发和小批量生产使用。
主要特点：
- 大抽速真空系统，即插即用快捷方便；
- 最多五个独立磁控靶位可轻松切换功能，快速制作多种金属和反应介质膜；
- 预设参数全自动沉积无需人为干预；
- 材料和基板安装方便实用，单片公转可沉积φ280的膜片，可实现公自转载具切换功能。
- 配备射频源，可实现多种膜层工艺要求。
应用领域：
- 金属和介电膜
- 薄膜传感器的制造
- 光学元件
- 纳米与微电子
- 太阳能电池
主要功能配置说明：
- Φ500mm*420mm(h)圆形不锈钢腔室（可选玻璃腔室）
- 700L/s涡轮分子泵+双级旋片泵真空泵组。
- 全量程复合真空计，自动控制不同工艺压力。
- 电动压控插板阀全程压力自动控制。
- 四个独立2英寸溅射靶+2个热蒸发源，或5个独立溅射靶位，可同时溅射多种靶材。
- 配准备DC电源和RF电源更利于溅射多种金属和介质膜层。
- MFC精密气体控制系统。
- 石英晶体监测系统用于实时厚度测量。
- 斜拉伸缩式触控屏可预设控制沉积过程和快速数据输入。
- 用户友好软件系统，可以通过网络更新。
- 一键式全自动升降系统，便于操作。
- 精密温控系统和基片前后加热装置可精确控制控基片＞800°C。
- 伸缩式基片挂架，可轻松调节溅射距离和切换公自转模式。
- 自动腔体外包围环绕冷却系统，避免高温镀膜时腔室壁温度过高。
系统外观图如下：
腔室结构图如下：
四靶位溅射+2个独立热蒸发单元
五个独立溅射靶位腔室结构图
转架结构图：
外形尺寸图：
- 技术指标
- 系统真空度：≤6 x10-5 Pa (经烘烤除气后)；
- 系统检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S，停泵关机12小时后保压≤5 Pa；
- 溅射成膜速率：各种材料综合速率≥10nm/min；
- 膜厚均匀性：公自转综合均匀度≤5%。
- 主要功能单元配置
- 更多PVD系统工艺说明可查阅本站点解决方案目录：/jjfa
鑫镭真空专业为科研项目和企业制作用于薄膜材料实验的小型多靶溅射PVD系统，提供各种真空镀膜工艺设备搭配定制、镀膜机机的全系统整合、升级和专用系统定制以及真空设备整机维修、安装等服务。质量可靠，提供多个案列参考。
