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BW-UIS-3500半导体雪崩耐量测试仪
可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。
二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化） 参考价￥10001 -
BW-IFSM/ITSM二极管浪涌测试系统
可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。
二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化），重者造成 参考价￥1008 -
BW-TRL2000车规级功率器件热循环负载试验台
BW-TRL2000车规级功率器件热循环负载试验台是一种二极管热循环负载试验系统,广泛应用于车规级半导体器件高温、高湿、高压、满载等功率循环可靠性间歇寿命测试，指导新品器件性能，指导研发和系统优化。 参考价￥10000 -
BW-AH-5520半导体高精度自动温度实验系统
BW-AH-5520半导体高精度自动温度实验系统采用特殊的结构设计，保证待测元器件区域温度高稳定度及均匀度。采用双高精度 RTD 温度传感器进行精密控温及过温保护，并具有多重保护功能，可以对器件在不同温度下的性能进行精密测量分析及筛选。 参考价￥10000 -
BW-H3TRB-C16半导体高温高湿反偏实验系统
适用于各种封装类型的二极管、三极管、SCR、MOSFET（支持耗尽型产品）、IGBT 单管、IGBT 模块、IPM 模块、桥堆等进行高温高湿反偏试验
试验线路及试验方法满足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相关标准要求
80 颗/每通道×16 通道＝1280 颗（满载试验数量) 参考价￥100008 -
BW-IOL-X16M半导体间歇寿命功率循环实验系统
适用于各种封装的IGBT、Si/SiC/GaN、MOSFET、BTJ进行K系数测试、稳态热阻测试及功率循环试验
试验线路及试验方法满足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相关标准要求
系统平均无问题时间≥10000 小时
每通道为 48 工位，48 工位中每个工位可进行 Tj 测试 参考价￥100008 -
BW-HAST-H4半导体高加速温湿度应力试验系统
适用于 SI/SIC/GaN 芯片的各种封装类型的二极管、三极管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、桥堆等半导体器件进行 HAST 试验。
符合JESD22-A101、AEC-Q101 等试验标准要求 参考价￥100008 -
BW-3022A晶体管分立器件测试系统
BWDT-3022A 型晶体管直流参数测试仪可测试三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、三端电压稳压器和基准器 TL431,为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了 15 种最主要参数的测试，以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把测试条件输入进去，并将参数存入EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用. 参考价￥10008 -
BW-3010B晶体管光耦参数测试仪(双功能版)
BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试便捷。 参考价￥10008 -
BW-3010A晶体管光耦参数测试仪
BW-3010A型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010A为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试便捷。 参考价￥10008 -
BW-4022A高精度半导体分立器件测试系统
BW-4022A 针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度静态参数包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数进行精确测试,BW-4022A 设备采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，高压源1000--2500V：选配1.4KV-- 2KV，高流源40--500A ：选配 40A、100A、200A、300A及以上。 参考价￥100008