简介

scia Cube 750用于样品尺寸为 750 mm x 750 mm 的大面积镀膜和刻蚀。可用于计量光栅的制造。

设备原理

通过微波激励反应气体，产生等离子体。通过射频偏压，增强离子轰击能量。

PECVD的过程，为使用等离子体辅助反应，将气体原子沉积在基板表面形成薄膜。

RIE的过程，使用反应气体和离子轰击，对基板表面进行物理与化学的刻蚀。

该系统专为大面积高密度等离子体工艺过程而设计，可在较宽范围内调节沉积参数，实现高速率气相沉积镀膜。此外，也可以使用氧气或卤素化学气体进行高各向异性蚀刻，并优化刻蚀工艺的选择比。

特点与应用

- 通过同步线性微波源阵列，实现大面积等离子体工艺过程
- 在样品支架上配置独立的射频偏压，对样品实现高能轰击
- 样品可冷却至 -10°C
- 样品面朝下放置，避免颗粒污染
- 可进行原位腔室清洗处理
- 全自动样品真空装载LoadLock与大气环境样品存储系统

- PECVD工艺

介质膜的沉积, 例如封装、阻挡涂层、电绝缘（SiO2、Si3N4等）
光学和耐磨涂层（a-C:H，DLC）
纳米金刚石和碳纳米管的生长

- RIE工艺

金属（镍、铬、铂等）的反应蚀刻和微结构图形制备
光学材料（石英、熔融石英）中光栅和其他结构的蚀刻
光刻胶灰化