快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉

快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2021-03-22 10:04:35
5064
属性:
测量范围:1000;测量精度:1;外形尺寸:658mm;用途:半导体,硅片工艺;重量:153kg;
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产品属性
测量范围
1000
测量精度
1
外形尺寸
658mm
用途
半导体,硅片工艺
重量
153kg
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上海隽思实验仪器有限公司

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产品简介

快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉可用于硅及其他化合物材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温功能

详细介绍

快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉简介

快速退火炉(RTP)近年来得到越来越广泛的应用。可用于硅及其他化合物材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温功能,采用三回路闭环温度控制,精确的温度控制部件可适用于特殊工艺要求,工艺重复性高,也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD的热处理。

JS-RTP系列快速热处理退火为我公司根据客户需求专业定制的热处理设备,半导体RTP快速退火炉主要用于:快速烧结快速退火工艺。具有温度均匀控制稳定等特点触摸屏操作方式(设备小巧,节约空间)

 

 

快速热处理退火炉,半导体RTP快速退火 炉主要技术参数

1、外型形式:台式

2、样品尺寸:2-8英寸

3、外部炉膛:合金镀金炉膛

4、内部炉膛:优质石英材质、可拆下清洗,有进、出气接口

5、加热材质:红外线灯管加热

6、显示:触摸屏或电脑式

7、温度范围:300-1000℃ 

8、控温精度:±5

9、升温速率:10℃-50/S可调

10、降温速率:10℃-50℃/S不可调

11、降温方式:水冷(冷水机或冷水管道+气冷)

12、工艺气体:三路,一路氮气、一路空气、一路氧气,配备质量流量计,气体流量动调节
13、真空度:可达0.05torr(可选配)
14、真空系统:进口无油真空泵
15、保护系统:超温保护,流量保护,计时控制,缺水报警等。

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