TS2000-HP Probe System

MPI的TS2000-HP半自动化探针台测试系统可提供8英寸及以下晶圆器件的高功率测量，的ShielDEnvironment™可提供低噪声和屏蔽的测试环境。

• 专为高电压和大电流量测应用而设计
• 适合至高 10kV / 600A （脉冲）的晶圆级高功率组件量测
• 提供载片下的高功率动、静态参数的测试
• 晶圆载物台表面镀金，最小化接触电阻；真空吸孔优化，适合装载至薄 50 µm 的薄晶圆
• 可选配搭载 Taiko 晶圆载物台
• 提供抗电弧解决方案
• MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽环境
• 專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所设计的精密量测环境
• 支援飞安级低漏电值量测
• 温度量测范围 -60 °C to 300 °C

安全系统

采用可互锁的安全光幕，可通过互锁系统关闭仪器，保护用户免受意外高压冲击。 该系统具有后门，并由互锁保护，以提供简便的初始安全测量设置。

ShielDEnvironment™

MPI ShielDEnvironment™是一个高性能的微暗室屏蔽系统，可为超低噪声、低电容测量提供出色的EMI和不透光的屏蔽测试环境。 为了防止卡盘和压盘之间产生电弧，TS2000-HP卡盘专门设计了ArcShield™。

高压探针（HVP）

低泄漏探头专门设计，可承受高达10kV（同轴）和3kV（三轴）的高压。可选择多种连接器选项，如Keysight Triax / UHV，Keithley Triax / UHV，SHV或Banana等。

大电流探针（HCP）

专为用于高达200A（脉冲）的大电流晶片测量而设计的高性能探针。 MPI多指大电流探头采用单片结构，可有效处理大电流并提供低接触电阻。

高功率测试系统

该测试系统提供了一个一体化的解决方案，用于表征2极和3极功率器件，如场效应（FET）、双极结（BJTs）晶体管、二极管、电容器（高达3 kV和100 A）。 只要插入一个DUT，就可以测量断开状态和接通状态的所有相关参数以及特性电容（Ciss、Coss Crss）。 IV特性可以在脉冲模式下进行，也可以在直流模式下进行。这样可以提高效率并防止任何重新布线错误。

超快动态RDS（on）

GaN器件的表征系统

超快速动态RDS（on）测试是被设计用来表征GaN晶体管的特性的。电力电子学的一个关键要求是在从高压离态切换到低压导通状态后立即获得非常低的导通电阻（RON）。超快动态RDS（on）测试能够在关闭和打开状态之间切换后立即测量RDS（on）。个RDS（on）值在大约1 us后生成。 该系统是为高达100A（脉冲电流）或高达1kV电压而设计的。由于探针的特殊设计，可以测量更多参数（泄漏或者其他）。

自动化晶圆装载系统

自动化的单晶片装载机和安全测试管理提供了的功能，可以在任何温度下装载/卸载晶片。装载或卸载晶片不再需要冷却或加热到环境温度。这样可以节省大量的停机时间，并显着提高MPI测试系统的整体效率，同时，方便的管理员登录过程可保护必要的设置。

可选的防电弧液体托盘

专门设计的防电弧液体托盘，只需放在大功率卡盘表面，即可用于抑制电弧。晶圆可以安全地放置在托盘内，浸没在液体中进行无电弧高压测试。