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杜邦 EFC265杜邦蚀刻残留物去除液
EKC265™蚀刻后残留物器广泛应用在半导体行业，以满足关键的清洁需求
从高深宽比MEMS器件100μm+到DRAM 的70nm集成的各个阶段 参考价￥1500 -
PECVD-601/801/1201化学气相沉积（PECVD）
是一种在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法 参考价￥10 -
MEB-600/800热阻/电子束蒸发镀膜机设备
电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术。它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…VS5电子束蒸发镀膜机，台式设计、软件自动操控、高性价比，非常适合实验室科研使用 参考价￥10 -
MSP-300/400/5100/6200磁控溅射镀膜设备
磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。 参考价￥10 -
DISC-IBE-150C/200C离子束刻蚀机（IBE）
IBE刻蚀机采用离子束刻蚀技术，其原理基于离子和固体表面的相互作用。具体而言，离子束通过控制系统加速并聚焦，然后瞄准待刻蚀的样品表面。离子束在与样品表面相撞时，会发生多种相互作用，包括散射、表面反射、电子激发和离子抑制等。其中，离子抑制是IBE刻蚀机的核心原理 参考价￥10 -
DISC-RIE-601/801/1201反应离子刻蚀机(RIE）
反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用 参考价￥10 -
DISC-ICP-601/801/1201/感应耦合等离子体刻蚀机（ICP）
感应耦合等离子体刻蚀系统利用射频天线，通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体，同时刻蚀工作台引入射频偏压，射频偏压作用下，等离子体中垂直向下对被刻蚀材料表面进行物理轰击，并与材料表面发生化学反应，达到对样品进行刻蚀的目的。
本系统具有ICP和RIE两种刻蚀功能，既可以进行细线条(纳米)加工，也可以进行高深宽比的体加工。可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、 参考价￥10 -
ABM/6/350/NUV/DCCD/SA紫外光刻机
截止到2008年1月，ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机，50多台单独曝光系统。客户包括美国NSA和INTEL、哈佛大学、LG、菲利普、惠普、3M等，ABM在中国各地也拥有不同领域的客户，包括众多的工厂、大学和研究所等。 参考价￥200 -
URE-2000/17/25/35/34AL紫外光刻机
光刻机可广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它经过特殊设计，方便处理各种非标准基片 参考价￥300000 -
日本 Toho FLX-2320系列TOHO 薄膜应力测量仪
薄膜应力测量：
在硅片等基板上附膜时，由于基板和薄膜的物理定数有异，产生应力，进而引起基板变形。由涂抹均匀的薄膜引起的变形的表现为基板的翘曲，而薄膜应力测量装置FLX系列可从这个翘曲（曲率半径）的变化量测量其应力。 参考价￥640000 -
pharos310电子束曝光系统/曝光机
pharos310曝光是利用电子束在涂有感光胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术，它的特点是分辨率高、图形产生与修改容易、制作周期短。其中扫描曝光系统是电子束在工件面上扫描直接产生图形，分辨率高，生产率低。投影曝光系统实为电子束图形复印系统，它将掩模图形产生的电子像按原尺寸或缩小后复印到工件上，因此不仅保持了高分辨率，而且提高了生产率。 参考价￥5000000 -
DY-2000A纳米通用图形发生器
图形发生器+SEM(FIB)=简易电子束曝光系统（EBL） 保留电镜原有功能。 参考价￥450000